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FDD850N10L | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDD850N10LTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD850N10LCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FDD850N10L |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 15,7 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 75mohm a 12A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 28.9 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1465 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 7’994
Data ultima possibilità d'acquisto: 01.01.2026
A causa di un'offerta limitata temporanea, al momento DigiKey non è in grado di accettare ordini arretrati.
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.10000 | Fr. 1.10 |
| 10 | Fr. 0.76600 | Fr. 7.66 |
| 100 | Fr. 0.56360 | Fr. 56.36 |
| 500 | Fr. 0.44444 | Fr. 222.22 |
| 1’000 | Fr. 0.40612 | Fr. 406.12 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.37867 | Fr. 946.68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.10000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.18910 |
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