Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 1.64312 CHF
Availability: InStock

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FDD86113LZ
Codice DigiKey	FDD86113LZFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDD86113LZFSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD86113LZ
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,2 A (Ta), 5,5 A (Tc) 3,1W (Ta), 29W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD86113LZ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 285 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 29W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,2 A (Ta), 5,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDD86113
RDSon (max) a Id, Vgs 104mohm a 4,2A, 10V

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In magazzino: 13’267

Scorte di fabbrica: 2’500

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.39540	Fr. 988.50
5’000	Fr. 0.36808	Fr. 1’840.40

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.52000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.64312

FDD86113LZ