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FDD86580-F085 è obsoleto e non è più in produzione.
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FDD86580-F085 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDD86580-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDD86580-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 50 A (Tc) 75W (Tj) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1430 pF @ 30 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 75W (Tj) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 50A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4,2V a 250µA |
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Sostituti (13)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS9D3N06CLTWG | onsemi | 2’073 | 488-NVMYS9D3N06CLTWGCT-ND | Fr. 1.32000 | Consigliato dal produttore |
| AOD442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 317’454 | 785-1107-1-ND | Fr. 1.02000 | Simile |
| DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | 159 | 31-DMN6017SK3-13CT-ND | Fr. 0.79000 | Simile |
| DMNH6021SK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMNH6021SK3-13-ND | Fr. 0.23753 | Simile |
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 3’192 | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | Fr. 1.16000 | Simile |
Obsoleto
