FDG8850NZ onsemi | Array FET, MOSFET

FDG8850NZ è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Nexperia USA Inc.

In magazzino: 6’423

Prezzo unitario : Fr. 0.46000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDG8850NZ
Codice DigiKey	FDG8850NZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDG8850NZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDG8850NZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDG8850NZ
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 750mA 300mW A montaggio superficiale SC-88 (SC-70-6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDG8850NZ Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 400mohm a 750mA, 4,5V
Produttore onsemi	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Serie PowerTrench®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,44nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 120pF a 10V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 300mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore SC-88 (SC-70-6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 750mA	Codice componente base FDG8850