

FDMQ8203 | |
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Codice DigiKey | FDMQ8203TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMQ8203CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMQ8203DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMQ8203 |
Descrizione | MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V, 80V 3,4 A, 2,6 A 2,5W A montaggio superficiale 12-MLP (5x4,5) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V, 80V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 3,4 A, 2,6 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 110mohm a 3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 210pF a 50V, 850pF a 40V | |
Potenza - Max | 2,5W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 12-WDFN piazzola esposta | |
Contenitore del fornitore | 12-MLP (5x4,5) | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.87000 | Fr. 1.87 |
10 | Fr. 1.20200 | Fr. 12.02 |
100 | Fr. 0.81870 | Fr. 81.87 |
500 | Fr. 0.65484 | Fr. 327.42 |
1’000 | Fr. 0.63819 | Fr. 638.19 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.53526 | Fr. 1’605.78 |
6’000 | Fr. 0.52140 | Fr. 3’128.40 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.87000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.02147 |