Name: FDMS86200
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200TR-ND
Price: 2.96194 CHF
Availability: InStock

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FDMS86200
Codice DigiKey	FDMS86200TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS86200CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS86200DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS86200
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	48 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 9,6 A (Ta), 35 A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDMS86200 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 46 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2715 pF @ 75 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,6 A (Ta), 35 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDMS86
RDSon (max) a Id, Vgs 18mohm a 9,6A, 10V