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FDMQ8203 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDMQ8203TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMQ8203CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMQ8203DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDMQ8203 |
Descrizione | MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V, 80V 3,4 A, 2,6 A 2,5W A montaggio superficiale 12-MLP (5x4,5) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 3A, 10V |
Produttore onsemi | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 5nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 210pF a 50V, 850pF a 40V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2,5W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 12-WDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 100V, 80V | Contenitore del fornitore 12-MLP (5x4,5) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,4 A, 2,6 A | Codice componente base |
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.99000 | Fr. 1.99 |
| 10 | Fr. 1.27500 | Fr. 12.75 |
| 100 | Fr. 0.87040 | Fr. 87.04 |
| 500 | Fr. 0.69726 | Fr. 348.63 |
| 1’000 | Fr. 0.65255 | Fr. 652.55 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.54377 | Fr. 1’631.31 |
| 6’000 | Fr. 0.53313 | Fr. 3’198.78 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.99000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.15119 |
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