FDMS3500 onsemi | FET, MOSFET singoli

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FDMS3500
Codice DigiKey	FDMS3500TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDMS3500CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDMS3500DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDMS3500
Descrizione	MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 75 V 9,2 A (Ta), 49 A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 91 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4765 pF @ 40 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 96W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 75 V	Contenitore del fornitore 8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,2 A (Ta), 49 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base FDMS35
RDSon (max) a Id, Vgs 14,5mohm a 11,5A, 10V

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Sostituti (11)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC042NE7NS3GATMA1	Infineon Technologies	18’342	BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.86000	Simile
BSC047N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	20’499	BSC047N08NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.98000	Simile
BSC057N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	74’780	BSC057N08NS3GATMA1CT-ND	Fr. 2.38000	Simile
BSC123N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	2’800	BSC123N08NS3GATMA1CT-ND	Fr. 1.77000	Simile
CSD18537NQ5A	Texas Instruments	4’908	296-36455-1-ND	Fr. 1.23000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.37820

FDMS3500