
SI7115DN-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI7115DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7115DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7115DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7115DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 8,9 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 295mohm a 4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1190 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 1212-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 2.25000 | Fr. 2.25 |
10 | Fr. 1.45400 | Fr. 14.54 |
100 | Fr. 1.00070 | Fr. 100.07 |
500 | Fr. 0.82008 | Fr. 410.04 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 0.67000 | Fr. 2’010.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.25000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.43225 |