Name: FDS3572
Brand: onsemi
SKU: FDS3572TR-ND
Price: 2.15119 CHF
Availability: InStock

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FDS3572
Codice DigiKey	FDS3572TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS3572CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS3572DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDS3572
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	41 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 8,9 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 41 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1990 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,9 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base FDS35
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 8,9A, 10V

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2’504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	Fr. 3.02000	Simile

In magazzino: 1’452

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.54398	Fr. 1’359.95
5’000	Fr. 0.52232	Fr. 2’611.60

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.99000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.15119

FDS3572