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FDS4935 | |
|---|---|
Codice DigiKey   | FDS4935-ND - Nastrato in bobina (TR)  | 
Produttore   | |
Codice produttore   | FDS4935  | 
Descrizione  | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC  | 
Riferimento cliente   | |
Descrizione dettagliata  | MOSFET - Array 30V 7A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC  | 
Scheda tecnica  | Scheda tecnica | 
Modelli EDA/CAD  | FDS4935 Modelli | 
Tipo   | Descrizione  | Seleziona tutto  | 
|---|---|---|
Categoria  | ||
Produttore   | onsemi  | |
Serie  | ||
Confezionamento  | Nastrato in bobina (TR)  | |
Stato componente  | Obsoleto  | |
Tecnologia  | MOSFET (ossido di metallo)  | |
Configurazione  | 2 canali P (doppio)  | |
Funzione FET  | Porta a livello logico  | |
Tensione drain/source (Vdss)  | 30V  | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C  | 7A  | |
RDSon (max) a Id, Vgs  | 23mohm a 7A, 10V  | |
Vgs(th) max a Id  | 3V a 250µA  | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs  | 21nC a 5V  | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds  | 1233pF a 15V  | |
Potenza - Max  | 2W  | |
Temperatura di funzionamento  | -55°C ~ 175°C (TJ)  | |
Tipo di montaggio  | A montaggio superficiale  | |
Contenitore/involucro  | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)  | |
Contenitore del fornitore  | 8-SOIC  | |
Codice componente base  | 



