

FDS4935BZ | |
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Codice DigiKey | FDS4935BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS4935BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS4935BZDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS4935BZ |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 6,9A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDS4935BZ Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 30V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 6,9A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 22mohm a 6,9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 40nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1360pF a 15V | |
Potenza - Max | 900mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.17000 | Fr. 1.17 |
10 | Fr. 0.74000 | Fr. 7.40 |
100 | Fr. 0.49150 | Fr. 49.15 |
500 | Fr. 0.38502 | Fr. 192.51 |
1’000 | Fr. 0.35074 | Fr. 350.74 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.31362 | Fr. 784.05 |
5’000 | Fr. 0.28433 | Fr. 1’421.65 |
7’500 | Fr. 0.27900 | Fr. 2’092.50 |
12’500 | Fr. 0.27300 | Fr. 3’412.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.17000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.26477 |