

FDS6675BZ | |
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Codice DigiKey | FDS6675BZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS6675BZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS6675BZDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS6675BZ |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDS6675BZ Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 13mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 62 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2470 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 0.71000 | Fr. 0.71 |
10 | Fr. 0.53800 | Fr. 5.38 |
100 | Fr. 0.40410 | Fr. 40.41 |
500 | Fr. 0.34020 | Fr. 170.10 |
1’000 | Fr. 0.31399 | Fr. 313.99 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.28004 | Fr. 700.10 |
5’000 | Fr. 0.25916 | Fr. 1’295.80 |
7’500 | Fr. 0.24837 | Fr. 1’862.78 |
12’500 | Fr. 0.23870 | Fr. 2’983.75 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.71000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.76751 |