

FDS86267P | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDS86267PTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDS86267PCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FDS86267PDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FDS86267P |
Descrizione | MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 150 V 2,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FDS86267P Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 150 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 6V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 255mohm a 2,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1130 pF @ 75 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.63000 | Fr. 1.63 |
| 10 | Fr. 1.14100 | Fr. 11.41 |
| 100 | Fr. 0.77500 | Fr. 77.50 |
| 500 | Fr. 0.60060 | Fr. 300.30 |
| 1’000 | Fr. 0.59572 | Fr. 595.72 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.51369 | Fr. 1’284.22 |
| 5’000 | Fr. 0.48670 | Fr. 2’433.50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.63000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.76203 |










