Name: FGB40T65SPD-F085
Brand: onsemi
SKU: FGB40T65SPD-F085TR-ND
Price: 5.41581 CHF
Availability: InStock

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FGB40T65SPD-F085
Codice DigiKey	FGB40T65SPD-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FGB40T65SPD-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FGB40T65SPD-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FGB40T65SPD-F085
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 267 W A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Tipo di ingresso Standard
Produttore onsemi	Carica del gate 36 nC
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Td (on/off) a 25°C 18ns/35ns
Stato componente Attivo	Condizione di test 400V, 40A, 6ohm, 15V
Tipo di IGBT Trench Field Stop	Tempo di recupero inverso (Trr) 34 ns
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 80 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 120 A	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Vce(on) max a Vge, Ic 2,4V a 15V, 40A	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Potenza - Max 267 W	Codice componente base FGB40T65
Energia di commutazione 970µJ (on), 280µJ (off)