Name: FGD5T120SH
Brand: onsemi
SKU: FGD5T120SHTR-ND
Price: 2.0539 CHF
Availability: InStock

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FGD5T120SH
Codice DigiKey	FGD5T120SHTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FGD5T120SHCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FGD5T120SHDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FGD5T120SH
Descrizione	IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 1200 V 10 A 69 W A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FGD5T120SH Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	10 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	12.5 A
Vce(on) max a Vge, Ic	3,6V a 15V, 5A
Potenza - Max	69 W
Energia di commutazione	247µJ (on), 94µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	6.7 nC
Td (on/off) a 25°C	4,8ns/24,8ns
Condizione di test	600V, 5A, 30ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Codice componente base	FGD5T120