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FQB10N50CFTM-WS è obsoleto e non è più in produzione.
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FQB10N50CFTM-WS | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQB10N50CFTM-WSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQB10N50CFTM-WS |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 10 A (Tc) 143W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQB10N50CFTM-WS Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2210 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 143W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 500 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 610mohm a 5A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB20N50F | onsemi | 14’322 | FDB20N50FCT-ND | Fr. 3.82000 | Consigliato dal produttore |
| IXFA12N50P | IXYS | 278 | IXFA12N50P-ND | Fr. 4.82000 | Simile |
| IXTA12N50P | IXYS | 0 | 238-IXTA12N50P-ND | Fr. 4.61000 | Simile |
| IXTA15N50L2 | IXYS | 91 | IXTA15N50L2-ND | Fr. 14.15000 | Simile |
| IXTA6N50D2 | IXYS | 641 | 238-IXTA6N50D2-ND | Fr. 9.68000 | Simile |
Obsoleto
