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FQD13N06TM è obsoleto e non è più in produzione.
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FQD13N06TM | |
|---|---|
Codice DigiKey | FQD13N06TMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FQD13N06TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 10 A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 310 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 28W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-252AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 140mohm a 5A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD13N06LTM | onsemi | 21’521 | FQD13N06LTMCT-ND | Fr. 0.93000 | Consigliato dal produttore |
| IRFR014PBF | Vishay Siliconix | 1’195 | IRFR014PBF-ND | Fr. 1.78000 | Simile |
| IRFR014TRLPBF | Vishay Siliconix | 2’538 | IRFR014TRLPBFCT-ND | Fr. 1.78000 | Simile |
| IRFR014TRPBF | Vishay Siliconix | 1’463 | IRFR014TRPBFCT-ND | Fr. 1.78000 | Simile |
| IRLR014PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRLR014PBF-ND | Fr. 1.67000 | Simile |
Obsoleto
Non annullabile/Non restituibile
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