FDT86106LZ
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FQT4N20LTF

Codice DigiKey
FQT4N20LTFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FQT4N20LTFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
FQT4N20LTFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
FQT4N20LTF
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 850mA (Tc) 2,2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FQT4N20LTF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,35ohm a 425mA, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
310 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-223-4
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
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