
FQT4N20LTF | |
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Codice DigiKey | FQT4N20LTFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQT4N20LTFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQT4N20LTFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | FQT4N20LTF |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 200 V 850mA (Tc) 2,2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-4 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FQT4N20LTF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,35ohm a 425mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 310 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,2W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-223-4 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.94000 | Fr. 0.94 |
| 10 | Fr. 0.58600 | Fr. 5.86 |
| 100 | Fr. 0.38530 | Fr. 38.53 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.94000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.01614 |











