FQT7N10LTF onsemi | FET, MOSFET singoli

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FQT7N10LTF
Codice DigiKey	FQT7N10LTFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) FQT7N10LTFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) FQT7N10LTFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQT7N10LTF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 1,7 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 290 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore SOT-223-4
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQT7N10
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 850mA, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	0	DMN10H220LE-13DICT-ND	Fr. 0.83000	Simile
PJW3N10A_R2_00001	Panjit International Inc.	4’319	3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND	Fr. 0.43000	Simile
ZXMN10A11GTA	Diodes Incorporated	474	ZXMN10A11GCT-ND	Fr. 1.04000	Simile

Obsoleto

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