HUF75631S3ST onsemi | FET, MOSFET singoli

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HUF75631S3ST
Codice DigiKey	488-HUF75631S3STTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-HUF75631S3STCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-HUF75631S3STDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	HUF75631S3ST
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 33 A (Tc) 120W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 79 nC @ 20 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1220 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 33 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 40mohm a 33A, 10V	Codice componente base HUF75

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FQB44N10TM	onsemi	1’102	FQB44N10TMCT-ND	Fr. 2.63000	Consigliato dal produttore
HUF75631S3ST	onsemi	32	488-HUF75631S3STCT-ND	Fr. 3.86000	Equivalente parametrico
BUK9640-100A,118	Nexperia USA Inc.	4’407	1727-BUK9640-100A,118CT-ND	Fr. 2.02000	Simile
IRF1310NSTRLPBF	Infineon Technologies	6’951	IRF1310NSTRLPBFCT-ND	Fr. 2.34000	Simile
IRF540NSTRLPBF	Infineon Technologies	17’938	IRF540NSTRLPBFCT-ND	Fr. 1.88000	Simile

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 2.56800	Fr. 25.68

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.86000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.17266

HUF75631S3ST