HUFA75645S3S onsemi | FET, MOSFET singoli

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HUFA75645S3S
Codice DigiKey	HUFA75645S3STR-ND - Nastrato in bobina (TR) HUFA75645S3SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HUFA75645S3SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	HUFA75645S3S
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 75 A (Tc) 310W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 238 nC @ 20 V
Serie UltraFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3790 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 75 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base HUFA75645
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 75A, 10V

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Sostituti (6)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB144N12N3GATMA1	Infineon Technologies	150	IPB144N12N3GATMA1CT-ND	Fr. 2.41000	Simile
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1’600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	Fr. 0.79693	Simile
PSMN013-100BS,118	Nexperia USA Inc.	208	1727-7104-1-ND	Fr. 2.11000	Simile
STB100N10F7	STMicroelectronics	128	497-14527-1-ND	Fr. 2.55000	Simile
STB120NF10T4	STMicroelectronics	8’195	497-2452-1-ND	Fr. 4.56000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 1.71594	Fr. 1’372.75

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.34000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.69154

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