NTD3055-150G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTD3055-150G è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

onsemi

In magazzino: 5’599

Prezzo unitario : Fr. 0.73000

Simile

onsemi

In magazzino: 28’245

Prezzo unitario : Fr. 0.45000

Simile

Vishay Siliconix

In magazzino: 1’259

Prezzo unitario : Fr. 1.63000

Simile

Nexperia USA Inc.

In magazzino: 7’799

Prezzo unitario : Fr. 1.46000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 5’581

Prezzo unitario : Fr. 1.24000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NTD3055-150G
Codice DigiKey	NTD3055-150G-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTD3055-150G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 9 A (Ta) 1,5W (Ta), 28,8W (Tj) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTD3055-150G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	150mohm a 4,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	280 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,5W (Ta), 28,8W (Tj)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	NTD30