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NTMFS4833NST1G | |
|---|---|
Codice DigiKey | NTMFS4833NST1G-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | NTMFS4833NST1G |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) A montaggio superficiale SO-8FL |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMFS4833NST1G Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 11.5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5250 pF @ 12 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Contenitore del fornitore SO-8FL |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 30A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4C01NT3G | onsemi | 5’000 | 488-NTMFS4C01NT3GCT-ND | Fr. 5.09000 | Simile |
| BSC0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | 9’897 | 448-BSC0501NSIATMA1CT-ND | Fr. 1.70000 | Simile |
| BSC0901NSATMA1 | Infineon Technologies | 25’426 | BSC0901NSATMA1CT-ND | Fr. 1.26000 | Simile |
| BSZ0901NSIATMA1 | Infineon Technologies | 6’724 | BSZ0901NSIATMA1CT-ND | Fr. 1.67000 | Simile |
| RS6E120BGTB1 | Rohm Semiconductor | 2’500 | 846-RS6E120BGTB1CT-ND | Fr. 2.85000 | Simile |






