Name: NTF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.081 CHF
Availability: InStock

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NTF6P02T3G
Codice DigiKey	NTF6P02T3GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTF6P02T3GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTF6P02T3G
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 10 A (Ta) 8,3W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223 (TO-261)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTF6P02T3G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1200 pF @ 16 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 8,3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223 (TO-261)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 6A, 4,5V	Codice componente base NTF6P02