MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
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NTHD3100CT1G

Codice DigiKey
NTHD3100CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
NTHD3100CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
NTHD3100CT1G
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Tempi di consegna standard del produttore
8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTHD3100CT1G Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
2,3nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
165pF a 10V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
1,1W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Canale N e P
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
8-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Contenitore del fornitore
ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2,9 A, 3,2 A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
80mohm a 2,9A, 4,5V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 16’639
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.30000Fr. 1.30
10Fr. 0.82300Fr. 8.23
100Fr. 0.54840Fr. 54.84
500Fr. 0.43078Fr. 215.39
1’000Fr. 0.39291Fr. 392.91
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.32227Fr. 966.81
6’000Fr. 0.29966Fr. 1’797.96
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.40530