
NTHD3100CT1G | |
---|---|
Codice DigiKey | NTHD3100CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTHD3100CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTHD3100CT1G |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTHD3100CT1G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2,9 A, 3,2 A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 80mohm a 2,9A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2,3nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 165pF a 10V | |
Potenza - Max | 1,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | ChipFET™ | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 1.25000 | Fr. 1.25 |
10 | Fr. 0.79000 | Fr. 7.90 |
100 | Fr. 0.52640 | Fr. 52.64 |
500 | Fr. 0.41344 | Fr. 206.72 |
1’000 | Fr. 0.37710 | Fr. 377.10 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
3’000 | Fr. 0.33096 | Fr. 992.88 |
6’000 | Fr. 0.30774 | Fr. 1’846.44 |
9’000 | Fr. 0.29800 | Fr. 2’682.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.25000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.35125 |