
NTHD3100CT1G | |
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Codice DigiKey | NTHD3100CT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTHD3100CT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTHD3100CT1G |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W A montaggio superficiale ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTHD3100CT1G Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 2,3nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 165pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1,1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore ChipFET™ |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,9 A, 3,2 A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 80mohm a 2,9A, 4,5V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.30000 | Fr. 1.30 |
| 10 | Fr. 0.82300 | Fr. 8.23 |
| 100 | Fr. 0.54840 | Fr. 54.84 |
| 500 | Fr. 0.43078 | Fr. 215.39 |
| 1’000 | Fr. 0.39291 | Fr. 392.91 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.32227 | Fr. 966.81 |
| 6’000 | Fr. 0.29966 | Fr. 1’797.96 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.40530 |










