
SI5513CDC-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI5513CDC-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5513CDC-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5513CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5513CDC-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4 A, 3,7 A 3,1W A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 55mohm a 4,4A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,2nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 285pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 3,1W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SMD, conduttori piatti |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 1206-8 ChipFET™ |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A, 3,7 A | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.74000 | Fr. 0.74 |
| 10 | Fr. 0.45800 | Fr. 4.58 |
| 100 | Fr. 0.29730 | Fr. 29.73 |
| 500 | Fr. 0.22802 | Fr. 114.01 |
| 1’000 | Fr. 0.20566 | Fr. 205.66 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.17725 | Fr. 531.75 |
| 6’000 | Fr. 0.16294 | Fr. 977.64 |
| 9’000 | Fr. 0.15565 | Fr. 1’400.85 |
| 15’000 | Fr. 0.14746 | Fr. 2’211.90 |
| 21’000 | Fr. 0.14261 | Fr. 2’994.81 |
| 30’000 | Fr. 0.13789 | Fr. 4’136.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.74000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.79994 |




