
NTMD4N03R2G | |
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Codice DigiKey | NTMD4N03R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD4N03R2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD4N03R2G Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 16nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400pF a 20V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 4A, 10V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.97000 | Fr. 0.97 |
| 10 | Fr. 0.61200 | Fr. 6.12 |
| 100 | Fr. 0.40220 | Fr. 40.22 |
| 500 | Fr. 0.31202 | Fr. 156.01 |
| 1’000 | Fr. 0.28298 | Fr. 282.98 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.23508 | Fr. 587.70 |
| 5’000 | Fr. 0.21691 | Fr. 1’084.55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.97000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.04857 |







