
NVMD4N03R2G | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NVMD4N03R2GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMD4N03R2GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMD4N03R2GDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVMD4N03R2G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 4A 2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NVMD4N03R2G Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 16nC a 10V |
Produttore onsemi | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 400pF a 20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Potenza - Max 2W |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4A | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 4A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMD4N03R2G | onsemi | 15’722 | NTMD4N03R2GOSCT-ND | Fr. 0.97000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.58000 | Fr. 1.58 |
| 10 | Fr. 1.00900 | Fr. 10.09 |
| 100 | Fr. 0.67940 | Fr. 67.94 |
| 500 | Fr. 0.53828 | Fr. 269.14 |
| 1’000 | Fr. 0.49291 | Fr. 492.91 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.41477 | Fr. 1’036.93 |
| 5’000 | Fr. 0.38642 | Fr. 1’932.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.70798 |


