
NTMD6P02R2G | |
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Codice DigiKey | NTMD6P02R2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NTMD6P02R2GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NTMD6P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NTMD6P02R2G |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4,8A 750mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NTMD6P02R2G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,8A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 33mohm a 6,2A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 35nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1700pF a 16V | |
Potenza - Max | 750mW | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.46000 | Fr. 1.46 |
10 | Fr. 0.92300 | Fr. 9.23 |
100 | Fr. 0.59810 | Fr. 59.81 |
500 | Fr. 0.48280 | Fr. 241.40 |
1’000 | Fr. 0.44982 | Fr. 449.82 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’500 | Fr. 0.43100 | Fr. 1’077.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.46000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.57826 |