NTMFS4833NST1G è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) A montaggio superficiale SO-8FL
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Canale N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) A montaggio superficiale SO-8FL
8-PowerTDFN

NTMFS4833NST1G

Codice DigiKey
NTMFS4833NST1G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
NTMFS4833NST1G
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 16A/156A SO-8FL
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) A montaggio superficiale SO-8FL
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
NTMFS4833NST1G Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,2mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
86 nC @ 11.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5250 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta), 86,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SO-8FL
Contenitore/involucro
Codice componente base
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