NTMFS4833NT1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NTMFS4833NT1G
Codice DigiKey	NTMFS4833NT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMFS4833NT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16A/156A 5DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 16 A (Ta), 156 A (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16 A (Ta), 156 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	88 nC @ 11.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5600 pF @ 12 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	910mW (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN, 5 conduttori
Codice componente base	NTMFS4833