NTMS4920NR2G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NTMS4920NR2G è obsoleto e non è più in produzione.

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NTMS4920NR2G
Codice DigiKey	NTMS4920NR2GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMS4920NR2G
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10,6 A (Ta) 820mW (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NTMS4920NR2G Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,3mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	58.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4068 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	820mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Codice componente base	NTMS4920