Name: NTMTS0D7N06CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTS0D7N06CTXGTR-ND
Price: 4.47534 CHF
Availability: InStock

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NTMTS0D7N06CTXG
Codice DigiKey	488-NTMTS0D7N06CTXGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NTMTS0D7N06CTXGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NTMTS0D7N06CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NTMTS0D7N06CTXG
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 60,5A (Ta), 464A (Tc) 5W (Ta), 294,6W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFNW (8,3x8,4)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 152 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11535 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 294,6W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60,5A (Ta), 464A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-DFNW (8,3x8,4)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 0,72mohm a 50A, 10V	Codice componente base NTMTS0

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NVMTS0D7N06CTXG	onsemi	19	488-NVMTS0D7N06CTXGCT-ND	Fr. 9.36000	Equivalente parametrico

In magazzino: 26

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 1.41243	Fr. 4’237.29

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.47534

NTMTS0D7N06CTXG