NVB6411ANT4G onsemi | FET, MOSFET singoli

NVB6411ANT4G è obsoleto e non è più in produzione.

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NVB6411ANT4G
Codice DigiKey	NVB6411ANT4G-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVB6411ANT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 77 A (Tc) 217W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVB6411ANT4G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 100 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3700 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 217W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 77 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore D2PAK
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 72A, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA	Codice componente base NVB6411

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPB70N10S312ATMA1	Infineon Technologies	1’917	IPB70N10S312ATMA1CT-ND	Fr. 3.08000	Simile
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1’600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	Fr. 0.79693	Simile
IXTA80N10T	IXYS	0	238-IXTA80N10T-ND	Fr. 4.00000	Simile
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Obsoleto

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Non annullabile/Non restituibile

NVB6411ANT4G