


NVMFD5C650NLT1G | |
---|---|
Codice DigiKey | NVMFD5C650NLT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFD5C650NLT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFD5C650NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | NVMFD5C650NLT1G |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 21A 8DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 19 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 21 A (Ta), 111 A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | NVMFD5C650NLT1G Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 21 A (Ta), 111 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,2mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 98µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2546pF a 25V | |
Potenza - Max | 3,5W (Ta), 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerTDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-DFN (5x6) doppio flag (SO8FL-doppio) | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 3.95000 | Fr. 3.95 |
10 | Fr. 2.81500 | Fr. 28.15 |
100 | Fr. 2.14830 | Fr. 214.83 |
500 | Fr. 2.09036 | Fr. 1’045.18 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1’500 | Fr. 1.73264 | Fr. 2’598.96 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.95000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.26995 |