Name: IAUCN10S5L094DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND
Price: 3.11328 CHF
Availability: InStock

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IAUCN10S5L094DATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN10S5L094DATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN10S5L094DATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN10S5L094DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN10S5L094DATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 66A 8TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 66A (Tj) 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-60
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN10S5L094DATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,2V a 35µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30nC a 10V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2180pF a 50V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 96W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 66A (Tj)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 9,4mohm a 30A, 10V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-60

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
5’000	Fr. 0.82367	Fr. 4’118.35

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.88000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.11328

IAUCN10S5L094DATMA1