Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 3.18895 CHF
Availability: InStock

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NVMFS5113PLT1G
Codice DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMFS5113PLT1G
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 10 A (Ta), 64 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) A montaggio superficiale 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NVMFS5113PLT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 83 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4400 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta), 64 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RDSon (max) a Id, Vgs 14mohm a 17A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN, 5 conduttori
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base NVMFS5