Name: NVMJD015N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJD015N06CLTWGTR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NVMJD015N06CLTWG
Codice DigiKey	488-NVMJD015N06CLTWGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVMJD015N06CLTWGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVMJD015N06CLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVMJD015N06CLTWG
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 10.1A 8LFPAK
Tempi di consegna standard del produttore	50 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 10,1A (Ta), 35A (Tc) 3,1W (Ta), 37W (Tc) A montaggio superficiale 8-LFPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 643pF a 30V
Produttore onsemi	Potenza - Max 3,1W (Ta), 37W (Tc)
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,1A (Ta), 35A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-1205, 8-LFPAK56
RDSon (max) a Id, Vgs 14,4mohm a 17A, 10V	Contenitore del fornitore 8-LFPAK
Vgs(th) max a Id 2,2V a 25µA	Codice componente base NVMJD015
Carica del gate (Qg) max a Vgs 9,4nC a 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 2’230

Scorte di fabbrica: 18’000

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®