
SQM120P10_10M1LGE3 | |
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Codice DigiKey | SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SQM120P10_10M1LGE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 100 V 120 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SQM120P10_10M1LGE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 10,1mohm a 30A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 190 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 9000 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 3.82000 | Fr. 3.82 |
10 | Fr. 2.53400 | Fr. 25.34 |
100 | Fr. 1.80070 | Fr. 180.07 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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800 | Fr. 1.41783 | Fr. 1’134.26 |
1’600 | Fr. 1.37940 | Fr. 2’207.04 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.82000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.12942 |