Name: NXH003P120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Price: 179.52167 CHF
Availability: InStock

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NXH003P120M3F2PTHG
Codice DigiKey	5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NXH003P120M3F2PTHG
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 350 A (Tc) 979W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Carburo di silicio (SiC)
Configurazione	2 canali N (semiponte)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	350 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	5mohm a 200A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 160mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1195nC a 20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	20889pF a 800V
Potenza - Max	979W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	36-PIM (56,7x62,8)
Codice componente base	NXH003

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