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NXH003P120M3F2PTHG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NXH003P120M3F2PTHG |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 350 A (Tc) 979W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,4V a 160mA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 1195nC a 20V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20889pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 979W (Tc) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore/involucro Modulo |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 350 A (Tc) | Contenitore del fornitore 36-PIM (56,7x62,8) |
RDSon (max) a Id, Vgs 5mohm a 200A, 18V | Codice componente base |
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Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 169.79000 | Fr. 169.79 |
| 20 | Fr. 152.33150 | Fr. 3’046.63 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 169.79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 183.54299 |
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