MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 284A (Tc) 785W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8)
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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 284A (Tc) 785W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8)
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH004P120M3F2PTHG

Codice DigiKey
5556-NXH004P120M3F2PTHG-ND
Produttore
Codice produttore
NXH004P120M3F2PTHG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Tempi di consegna standard del produttore
23 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 284A (Tc) 785W (Tc) Montaggio su telaio 36-PIM (56,7x62,8)
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,4V a 120mA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
876nC a 20V
Confezionamento
Vassoio
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
16410pF a 800V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
785W (Tc)
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Contenitore/involucro
Modulo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
284A (Tc)
Contenitore del fornitore
36-PIM (56,7x62,8)
RDSon (max) a Id, Vgs
5,5mohm a 200A, 18V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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