Name: NXH100B120H3Q0STG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH100B120H3Q0STG-ND
Price: 54.53645 CHF
Availability: InStock

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NXH100B120H3Q0STG
Codice DigiKey	5556-NXH100B120H3Q0STG-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NXH100B120H3Q0STG
Descrizione	IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Modulo Trench Field Stop 2 indipendenti 1200 V 50 A 186 W Montaggio su telaio 22-PIM/Q0BOOST (55x32,5)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Moduli IGBT
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	2 indipendenti
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	50 A
Potenza - Max	186 W
Vce(on) max a Vge, Ic	2,3V a 15V, 50A
Corrente - Interruzione collettore (max)	200 µA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	9.075 nF @ 20 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	22-PIM/Q0BOOST (55x32,5)
Codice componente base	NXH100

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