NXH800A100L4Q2F2S1G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

NXH800A100L4Q2F2S1G è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 149.35000

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NXH800A100L4Q2F2S1G
Codice DigiKey	488-NXH800A100L4Q2F2S1G-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NXH800A100L4Q2F2S1G
Descrizione	IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Modulo Trench Field Stop Inverter a tre livelli 1000 V 309 A 714 W Montaggio su telaio 51-PIM/Q2PACK (93x47)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Moduli IGBT
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Inverter a tre livelli
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1000 V
Corrente - Collettore (Ic) max	309 A
Potenza - Max	714 W
Vce(on) max a Vge, Ic	2,3V a 15V, 400A
Corrente - Interruzione collettore (max)	20 µA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	49.7 nF @ 20 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Si
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	51-PIM/Q2PACK (93x47)
Codice componente base	NXH800