MOSFET - Array 80V 200A (Tj) Foro passante APM12-CBA
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NXV08A170DB2

Codice DigiKey
488-NXV08A170DB2-ND
Produttore
Codice produttore
NXV08A170DB2
Descrizione
MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA
Tempi di consegna standard del produttore
33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 80V 200A (Tj) Foro passante
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
195nC a 10V
Confezionamento
Vassoio
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
14000pF @ 40V
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Grado
Automobilistico
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Qualifica
AEC-Q100
Tensione drain/source (Vdss)
80V
Tipo di montaggio
Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
200A (Tj)
Contenitore/involucro
12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm)
RDSon (max) a Id, Vgs
0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V
Contenitore del fornitore
APM12-CBA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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In magazzino: 204
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Vassoio
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 16.30000Fr. 16.30
10Fr. 11.70800Fr. 117.08
288Fr. 9.32882Fr. 2’686.70
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 16.30000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 17.62030