
NXV08A170DB2 | |
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Codice DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NXV08A170DB2 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 80V 200A (Tj) Foro passante |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 195nC a 10V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 14000pF @ 40V |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (semiponte) | Qualifica AEC-Q100 |
Tensione drain/source (Vdss) 80V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200A (Tj) | Contenitore/involucro 12-PowerDIP Module (1.118", 28.40mm) |
RDSon (max) a Id, Vgs 0.99mOhm @ 80A, 10V, 1.35mOhm @ 80A, 10V | Contenitore del fornitore APM12-CBA |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 16.30000 | Fr. 16.30 |
| 10 | Fr. 11.70800 | Fr. 117.08 |
| 288 | Fr. 9.32882 | Fr. 2’686.70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 16.30000 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 17.62030 |


