Name: IAUTN08S5N012LATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND
Price: 5.57796 CHF
Availability: InStock

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IAUTN08S5N012LATMA1
Codice DigiKey	448-IAUTN08S5N012LATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUTN08S5N012LATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUTN08S5N012LATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUTN08S5N012LATMA1
Descrizione	MOSFET 2N-CH 80V 300A PG-HSOF
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 80V 300A (Tj) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUTN08S5N012LATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3,3V a 275µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24nC a 10V
Serie OptiMOS™ 5	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15340pF a 40V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 375W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canale N, drain comune, sorgente comune	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300A (Tj)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,15mohm a 100A, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-2