Name: PJD85N03-AU_L2_000A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR-ND
Price: 0.3629 CHF
Availability: OutOfStock

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PJD85N03-AU_L2_000A1
Codice DigiKey	3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJD85N03-AU_L2_000A1
Descrizione	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 16A (Ta), 85A (Tc) 2W (Ta), 58W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16A (Ta), 85A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2436 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	PJD85

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