Name: PJD85N03_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD85N03_L2_00001TR-ND
Price: 0.22587 CHF
Availability: OutOfStock

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PJD85N03-AU_L2_000A1

Panjit International Inc.

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Scheda tecnica

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PJD85N03_L2_00001
Codice DigiKey	3757-PJD85N03_L2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJD85N03_L2_00001
Descrizione	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 16A (Ta), 85A (Tc) 2W (Ta), 58W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16A (Ta), 85A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,8mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2436 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	PJD85

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Quantità

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.20895	Fr. 626.85
6’000	Fr. 0.19277	Fr. 1’156.62
9’000	Fr. 0.18453	Fr. 1’660.77
15’000	Fr. 0.17527	Fr. 2’629.05
21’000	Fr. 0.17280	Fr. 3’628.80