PJQ1902_R1_00001 Panjit International Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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Panjit International Inc.

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PJQ1902_R1_00001
Codice DigiKey	3757-PJQ1902_R1_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJQ1902_R1_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJQ1902_R1_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ1902_R1_00001
Descrizione	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 500mA (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 3-DFN (0,6x1)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,2ohm a 350mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.87 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	34 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	3-DFN (0,6x1)
Contenitore/involucro	3-UFDFN
Codice componente base	PJQ1902