Name: HIP2100EIBZT
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 20-HIP2100EIBZTTR-ND
Price: 4.94017 CHF
Availability: InStock

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HIP2100EIBZT
Codice DigiKey	20-HIP2100EIBZTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 20-HIP2100EIBZTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 20-HIP2100EIBZTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	HIP2100EIBZT
Descrizione	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Semiponte Driver gate IC Non invertente 8-SOIC-EP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HIP2100EIBZT Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Circuiti integrati (CI) CI di gestione dell'alimentazione (PMIC) Gate driver	Tensione logica - VIL, VIH 4V, 7V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Corrente - Uscita di picco (source, drain) 2A, 2A
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Tipo di ingresso Non invertente
Stato componente Attivo	Tensione high-side - Max (bootstrap) 114 V
Programmabile da DigiKey Non verificato	Tempo di salita/discesa (tip.) 10ns, 10ns
Configurazione comandata Semiponte	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di canale Indipendente	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
N. di driver 2	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) piazzola esposta
Tipo di gate MOSFET (canale N)	Contenitore del fornitore 8-SOIC-EP
Tensione - Alimentazione 9 ~ 14V	Codice componente base HIP2100

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In magazzino: 1’619

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 2.40001	Fr. 6’000.02

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.94017

HIP2100EIBZT